特斯拉与SpaceX的创始人埃隆·马斯克于10月13日在社交平台X上发表言论，强调一旦中国在某个产品的制造技术上取得突破，其生产规模将显著超越全球其他地区。他特别提到锂离子电池和太阳能技术的成功案例，表明中国在制造能力上具有明显的优势。不过，马斯克也提到，SpaceX作为一个例外，美国在火箭发射的载荷质量方面依然领先于世界其他地区。

他进一步指出，内存芯片的市场竞争也可能走上类似的道路。近年来，内存（RAM）曾被视为低利润的大宗商品，而LP5和LP6等产品的标准化设计使得不同制造商更易实现大规模生产。如果中国制造商能迅速解决生产和良率问题，传统RAM市场的竞争格局可能会发生重大变化。马斯克的表态后，全球存储芯片市场出现了明显波动。在10月12日的美股交易中，美光科技的股价下跌了3.88%，导致纳斯达克综合指数也受到了拖累。这一波动的背后，投资者正在重新评估中国存储芯片制造商长鑫存储所带来的竞争压力。

在刚刚结束的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇谈及该公司在DRAM领域、4F²架构及混合键合等方面的技术进展，宣布预计将在2026年底推出融合这些先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。曹堪宇特别强调，4F²架构的核心技术为自主研发的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管，该晶体管采取垂直包围的通道结构，可提高栅控能力，解决漏电和短沟道效应等问题，并有助于提升存储密度。

长鑫自成立以来便开始在4F²架构方面进行研究和专利布局，目前已公开300多项相关专利。与目前流行的6F²架构相比，4F²大幅度缩小了每个存储单元的面积，使同样面积的存储密度提升30%至50%。这项技术的突破标志着晶体管布局从水平向垂直的根本转变，设计和工艺流程需要重新整合。

对DRAM制造商而言，此技术不仅提高了存储容量，还有助于优化成本结构。如果长鑫存储能够在量产中保持良率稳定，其每片晶圆的有效比特产出预计会增加，从而降低每比特的制造成本，这将为公司在价格竞争中赢得更大的灵活性。长鑫存储的新一代DDR5 RDIMM将直接面向服务器内存市场，需满足7×24小时连续运行的要求，并通过复杂的兼容性测试。

这一技术进展意味着三星电子和SK海力士将面临更直接的竞争压力。到10月13日早晨，韩国KOSPI指数已经跌至6059点，创下了8月3日以来的新低，其中SK海力士和三星电子的股价分别下跌超过7%和近6%。马斯克的看法显示，市场正逐渐区分不同类型的存储产品，传统RAM的标准化使得制造能力和产能扩展成为竞争的关键。而下一代高带宽内存（HBM）以及在逻辑电路中使用的SRAM或逻辑芯片上的3D堆叠存储结构则面临更大的集成和热管理挑战。